11月23日，中芯国际和以色列半导体公司赛芬(Saifun)联合宣布，中芯国际将利用赛芬半导体每单元四比特Quad NROM技术推出8GB储存容量的NAND芯片，新的闪存芯片预期将于2008年投放市场。

尽管这条消息包含诸多晦涩难懂的科技术语，但是隐约其后的事实却非常直接地表明，中芯国际将拓展其在闪存代工领域的业务。

一个有趣的现象是，就在中芯国际宣布进军闪存市场的同时，又传出台积电看好闪存市场，并将加大对其投入的消息。实际上，在闪存市场上，台积电的步伐比中芯国际更快，它已经拥有了一座生产NOR闪存芯片的工厂，明年还将使用另外一座工厂生产闪存芯片。台积电首席执行官蔡力行预计，明年闪存产品的收入将占到台积电收入的3%至5%。

实际上，闪存市场将是这对芯片双雄角力故事的最新演绎。

闪存的机会

对于中芯国际而言，虽然明知闪存会是一座金矿，但是要开采它却并不容易。中芯国际投资者关系部处长喻宁介绍说：“闪存业务与之前的DRAM业务(即随机存储器，俗称内存)不同。生产闪存，虽然与生产DRAM的有些制造设备可以共用，但是我们必须有技术伙伴。”需要技术伙伴提供的技术包括一些软件工具、IP单元库等，赛芬正是中芯国际找到的“实力很强的技术伙伴”。

事实上，但凡有意进军闪存市场的半导体公司都绕不开赛芬半导体。在闪存技术领域，赛芬半导体开发的NROM技术堪称突破，它能将存储能力提高到一般基本存储单元的两倍多，而且可以简化存储单元的器件模型，减少生产步骤，并最终降低制造成本。正因为如此，诸如AMD、富士通、英飞凌等半导体巨头都在使用赛芬授权的闪存技术。

巩固与赛芬半导体的结盟，无疑反映出中芯国际对芯片代工市场走向的认识。之所以说“巩固”，是因为早在2005年6月，中芯国际就已经获得了赛芬半导体的特许权，准许其生产以闪存为基础的产品时使用赛芬的NROM技术。

倘若仔细考察先前芯片代工业的产品类别，容易将其分为存储器单元和逻辑电路单元两大类，其中存储器单元又包括内存芯片(即DRAM)和闪存芯片(即NAND)。以往，芯片代工企业生产的存储器单元主要指内存芯片，闪存芯片则主要采用IDM模式生产。

所谓IDM模式，即指一整套芯片业流程，包括设计、制造、封装乃至成品等诸环节均由同一家企业完成。在IDM模式下，Samsung 、东芝等是闪存生产的主力军，因为它们都同时经营着闪存芯片的下游市场，即规模庞大的消费电子业务。

近年来诸如手机、MP3、数码相机等消费类电子市场蓬勃发展，并且可以预见其未来将更加繁荣，这将导致对闪存的需求继续高速增长。“从最近几年的情况看，全球半导体市场的增长点主要集中在存储器领域。根据预测，未来存储器市场大约每年还有20%以上的涨幅；而根据赛迪的统计，截至去年，闪存已经占据了存储器市场份额的40%以上。” 赛迪顾问芯片行业分析师李珂说。所有这些最终都为芯片代工企业向闪存领域拓展市场提供了依据。

绝非权宜之计

不过，也有观点认为中芯国际与赛芬结盟、涉足闪存业务仅具短期意义。“类似赛芬的闪存公司规模还很小，只能说市场有了一些新进入者，究竟竞争力如何还有待观察。”台湾凯基证券IT行业分析师林正民说，“从长期竞争力上看，闪存业务并不会带给中芯国际多大程度的提高。”

林正民认为，闪存业务只是在两个方面有助于中芯国际的短期业绩：其一，可以分散生产DRAM面临的风险，其二，可以提高中芯国际的产能利用率，填补其剩余产能。实际上，在目前的芯片市场上，闪存的价格波动相对于中芯国际当前生产的主要产品DRAM而言稳定很多，并且其价格也较DRAM高得多，而且由制造DRAM转向生产闪存并不需要太多的额外固定投入，转换成本并不高。因此生产闪存的毛利会更高，对中芯国际更具吸引力。

此外，大规模制造类企业往往设备投资额巨大，因此设备闲置成本极高，始终保持足够高的产能利用率对其业绩而言极为重要。中芯国际公布的财务报告显示，今年二季度其产能利用率达93%，而三季度则降低至85%。“今年四季度，我们的产能利用率大概在84%多，不足85%。”喻宁说。无论是何种原因导致了产能利用率的降低，中芯国际都有足够动力获取新订单来提高它，而接单闪存生产正好能收此效。