计划生产45纳米芯片的美国亚利桑那Fab32工厂外观
1月29日消息，Intel公司在北京宣布采用全新的晶体管材料，制造出可工作的首批45纳米的Penryn处理器原型产品。这批新品将在下半年投产，并至少领先竞争对手一年时间。

据介绍，Intel为了突破技术障碍新发明了两项材料：高-k栅介质和金属栅极材料。利用它们制造的45纳米处理器，将极大程度降低漏电功率，带来更高性能和极大的能效。

“随着越来越多的晶体管被集成到一个硅晶片上，业界一直在研究电流泄漏问题的解决方案。”Intel高级院士Mark Bohr指出，Intel在该领域的突破确保了公司在产品与创新方面的领导地位。

Intel方面表示，这两项新材料的发明，是上个世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体MOS晶体管以来，晶体管领域最重大的突破。

据悉，Intel的45纳米产品将于2007年下半年投入生产，Intel分别设于俄勒冈、亚利桑那与以色列的三家工厂将陆续于2008年上半年交付45纳米产品。目前正在开发的45纳米产品超过15种，涵盖台式机、笔记本、工作站和企业版产品领域。

Intel先进技术支持与服务部资深技术专家赵军告诉新浪科技，Intel采用新技术制造45纳米处理器，主要得益于其成本优势和较高的可加工能力。Intel相信，生产出首批新一代45纳米系列新品中的首批可工作45纳米处理器，标志着Intel在半导体产业领先至少一年。

值得注意的是，IBM也于日前宣布已通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题，确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。

Intel相关负责人对此表示，Intel采用新技术的45纳米产品已成功运行系统与程序，并于下半年开始量产，对手至少要到2008年。

上述负责人还指出，Intel在45纳米技术上，从产品到市场都有领先性，对手65纳米产品的面世时间曾比当初的预测有所延迟，45纳米可能也不乐观。