作者：OZ

全球主要内存生产商意法半导体公司(ST Microelectronics)将与Intel公司合作设计新的Nor Flash子系统，以降低手机产商的成本。这两间公司现时将会采用90纳米的制造工艺来生产NOR Flash。Intel公司和意法半导体公司正研究开发采用65纳米的制造工艺来生产下一代的NOR Flash。

据意法半导体公司副总裁Giuseppe Crisenza称，一年半以来，两间公司已经合作开展有关用户界面和子系统的研发工作。

首批采用90纳米技术制造的MLC NOR闪存规格是512兆，明年第一季度，2间公司将会合作生产128兆的SD RAM和 Pseudo RAM，而在明年第三季度，将会开始生产256兆的SD RAM和64兆的PS RAM。两间公司还计划使用65纳米的生产技术生产1GB的内存。首批生产内存的运行频率为133MHZ，运行电压为1.8伏。

这两间公司强强合作，将使其产品会具有非常大的市场竞争力。这两间公司将计划提供大约占40%市场份额的NOR闪存。