3月8日消息，本周三，芯片巨头Intel表示，不久之后将把第一块变相内存芯片样本，送交设备制造商，这样标志着下一代内存芯片技术已经呼之欲出。
据vnunet报道，变相内存技术一直被视为传统内存技术的替代品，其结合了Dram内存的速度和闪存在断电之后可以保存信息的优点，因此其很有可能彻底取代传统的DRAM和闪存技术。对于移动设备来说，能够在断电之后保存信息极为重要，与此同时数据的传输速度也必须达到标准。

“业界一直在询问，如何生产出可以在断电之后还保存信息的DRAM内存。”Intel闪存业务部门首席技术官员多尔先生在一次公司总部会议上表示，“变相内存技术给我们提供了完美的答案。”

据悉，Intel在变相内存的研发和生产过程中，和半导体工业位居欧盟第一大的法意STMicroelectronics电子建立了合作关系。Intel发言人表示，即将到来的变相内存技术，在速度方面将超过如今闪存一千倍之多！与此同时，芯片还可以在现有的数据上覆盖写入新数据，而传统的闪存则必须在删除原有数据的基础上，才能写入新数据。

虽然目前该技术的成本还要远远高于传统的DRAM和闪存，不过多尔先生预测随着批量生产其价格将最终接近如今市场的驻留内存产品。据悉，Intel首先将把该技术应用于手机平台，如今绝大多数市面上流行的手机都在使用NOR格式闪存。

去年九月份的时候，韩国Samsung 制造出512M的变相内存原型，而该产品将在明年投入正式生产。去年12月份的时候，IBM发布了一项最新研究报告，也表示将投身变相内存市场。去年九月份，Intel展示了业界第一块基于90纳米技术的128m变相内存成品。(n104)