随着国内半导体行业日渐成熟，近两年，国产芯片的发展速度也得到了飞速的提升，在国产芯片设计研发上，众多国产企业——华为海思、紫光展锐、达摩院等，都已经接连传出设计研发成功的好消息，而在芯片制作上，一直被寄予厚望的中芯国际也实现了重大突破。

中芯国际在2018年，向荷兰的AMSL公司，购买过一台EUV光刻机，但直到现在依旧没有完成交付，EUV光刻机是目前最先进的光刻机技术，可以轻松的制作出主流芯片市场上所需的7nm芯片，乃至5nm、3nm，而这项技术完全被荷兰AMSL公司垄断。

中芯国际另辟蹊径，有望打破7纳米芯片垄断：

其实，制作7nm芯片的方法，不仅仅必须依靠EUV光刻机，曾在EUV刚刚问世的时候，知名芯片制作企业——台积电，其内部曾经自研出了一套，仅依靠DUV（深紫外光）光刻机制作出7nm芯片的办法，这套方法被称为FinFET工艺（胡正明教授带领团队研制成功的），它可以将DUV潜能发挥极致，通过多次曝光的手段得到7nm芯片。

当然，这种通过DUV制作7nm芯片技术，也存在了一定的缺点，比如，为了得到精度更高的芯片，在多次曝光之后，它的良品率会大大下降，还有实际操控的难度也相对会加大。

但是，从另一个角度来看，台积电还是成功的将DUV的工艺提高到了7nm，有了这个先例，也就侧面说明，同样做芯片制作的中芯国际，如今就算没有得到荷兰的EUV光刻机，依靠DUV光刻机也是有可以做出7nm芯片的可能的，这并不能决定中国芯片什么。

而且，中芯国际，一直在憋着新的大招，在梁孟松教授（胡正明的学生），加入中芯国际以后，中芯国际仅用2年的时间，就在没有EUV光刻机的情况下，完成了芯片工艺的升级，直接突破了14nm技术的瓶颈，而这仅仅是中芯国际发力的开始。

随后，中芯国际，又另辟蹊径，研制出了一种新的制作芯片"N+1"技术，并且经过芯片市场数据测试，效果惊奇，竟与台积电第一代7nm芯片的数据吻合度，相差无几，而且，同时中芯国际，还透露出，N+1技术升级版的N+2技术的研发工作，也早已提上日程，N+2将会更加注重芯片制作工艺的性能，一旦研发成功，效果会更加接近主流市场7nm芯片的标准。

中芯国际，N+1和N+2技术的问世，为技术贫乏的国产芯片制作领域，带来了新的生机，大家，对此，有什么看法吗？

出处：见配图水印