作者：时之砂

霍尼韦尔公司旗下电子材料15日宣布已与卡博特公司就面向半导体行业的钽 (Ta) 材料和产品签署了一项全球专利交叉授权协议。

卡博特是钽金属供应商，霍尼韦尔是用于生产半导体芯片的钽物理气相沈积 (phys
ical vapor deposition, PVD) 溅镀靶材 (Sputtering Targets) 的制造商。该协议将使双方能够利用更加广泛的钽专利合并组合，从而更好地为半导体制造业客户服务。专利合并组合包括与高纯度钽金属和溅镀靶材的生产有关的14项全球专利。

霍尼韦尔电子材料副总裁兼总经理 Barry Russell 表示：“这项协议对我们双方公司来说都具有重大意义，但是更加重要的是，它也是我们客户的一项胜利。它使本公司能够为半导体制造商提供用于尖端芯片生产的最先进的钽金属技术。”

由于在高级设计中铜互连线 (Copper Interconnect) 使用频率的日益增加，钽对于半导体制造业已变得日益重要。铜互连线是可在芯片中传导电流的极其精细的金属线。制造商将钽金属用作阻挡层，防止铜有害地扩散进周边材料。

将金属应用于芯片生产的最常见的方法之一是利用 PVD 制程，溅镀靶材中的金属作为一层薄膜在芯片上蒸发和沉积。霍尼韦尔电子材料是面向半导体行业的溅镀靶材领先全球制造商。霍尼韦尔拥有并经营着自身的金属精炼和净化净化工艺，确保为该行业提供最相容甚至精细到亚微米水平的产品控制。霍尼韦尔还制造和供应用于提高 PVD 制程效率的线圈组，以及在扩散炉中用作为十分精确的感温设备的贵金属热电偶。