作者：令狐达

据日本媒体11月21报道，全球第二大NAND闪存厂商日本东芝公司已经研发出了一种下一代NAND闪存的新技术，东芝公司希望借此能够冲破闪存“大佬”韩国Samsung 电子的压制。

据21日的《日经商报》报道，东芝公司已经研发出了一种名为“单元多层存储(Multilevel Cell)”技术，它可以在一个存储单元存储两个Bit的数据，比传统的容量增加了一倍。

据悉，这项技术并非东芝首创，此前德国存储芯片巨头英飞凌谈论“单元多层存储”技术已经有些时日。而据信，闪存巨头Samsung 电子目前尚未研发出这种新技术。媒体分析指出，如果东芝能够早于Samsung 之前采用最新技术生产NAND闪存产品，Samsung 目前占据半壁江山的“老大”地位有可能遭到东芝的威胁。

《日经商报》的报道说，东芝公司的目标是在2006年使用55纳米工艺生产NAND闪存芯片，这种闪存的独写速度也有望比目前翻一番。

上周，美国芯片市场调研公司iSuppli发布了今年第三季度全球闪存市场报告，数据显示Samsung 电子以50%的市场占有率稳居“老大”地位，东芝公司的市占率则为22.8%。Samsung 和东芝还面临两个后起之秀的威胁：美国美光和韩国现代，这两家公司目前的市占率都很小，但销售收入增速惊人，其中美光比二季度增长4倍。