12月11日国际报道 麻省理工学院(MIT)的工程技术人员计划在本周发表一篇有关晶体管的论文，他们希望能够开启微型电子产品发展的一个新阶段。

MIT 的工程师估计，未来10-15 年内，硅晶体管在尺寸和性能方面将达到极限。因此，包括MIT 在内的多家组织正在研究利用新的复合材料生产晶体管的课题，它们希望能够克服硅晶体管本身存在的缺陷。

一种可能的材料是铟砷化镓(InGaAs)，电子在InGaAs中的传输速度是硅的好几倍。MIT 的微系统实验室(MTL)最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输的电流量是最先进的硅晶体管的2.5 倍。InGaAs晶体管的大小只有60纳米。InGaAs晶体管的好处是能够减小芯片尺寸，提高信息处理的速度。

MTL 的电子学和计算机科学教授阿拉莫表示，我们每天都在使用手机、笔记本电脑、iPod等产品中的数十亿个晶体管。我们正在研究新的晶体管材料，在减小尺寸的同时，进一步提高产品的性能。

晶体管还是一种“年轻”的技术，研究人员必须克服一些困难。例如，InGaAs比硅更容易折断，大规模生产晶体管存在相当大的困难。阿拉莫教授预计未来2 年内将开发出原型InGaAs产品。

Intel对这一成果非常高兴。Intel负责晶体管和纳米技术研究的资深技术人员罗伯特在一份声明中说，阿拉莫教授的研究小组演示的60纳米InGaAs晶体管在较低的电压上显示出令人激动的性能，这是一个很重要的里程碑。