据英国媒体报道，新一代相变内存是一种非易失性的内存产品，它集DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来DRAM和闪存的替代品。

Intel闪存部门首席技术官Ed Doller称：“从理想的角度讲，人们需要一种非易失性DRAM产品，而相变内存就十分接近于该目标。”

Doller还称，相变内存的读写速度相当于闪存的1000多倍，而能耗只有当前闪存的1/2。目前，Intel正与意法半导体携手开发相变内存。