一位曾执掌ASML尖端技术的科学家，正为中国开启通往先进芯片制造的新路径。他是谁？他带回了什么？又如何在西方封锁重压之下，悄然助推中国EUV光刻实现“从无到有”的跨越？

4月29日，在高端芯片制造最关键的EUV光刻技术上，中国终于传来重量级突破。根据《中国激光》杂志发布的最新研究，一支由前阿斯麦光源技术负责人林楠领导的科研团队，在上海光学精密机械研究所搭建了具备国际竞争力的EUV光源实验平台。这项重要成果，不只是技术进展，更是对西方技术封锁的一次有力回应。

作为半导体制造领域"皇冠上的明珠"，EUV光刻技术凭借13.5纳米的极紫外波长特性，成了突破7纳米制程节点的唯一技术路径。目前全球EUV光刻机市场形成ASML独家垄断的局面，其技术核心在于掌控了等离子体激发技术——通过20千瓦级二氧化碳激光器精准轰击锡滴产生13.5nm特征谱线光源，这项被称为"驾驭光子艺术"的尖端技术构筑了ASML的绝对优势。EUV光源的突破不仅关乎光刻机整机性能，更是打开3纳米、2纳米乃至埃米级制程大门的工艺钥匙。

林楠，这位曾任ASML光源技术负责人、师从2023年诺贝尔物理学奖得主、拥有110余项国际专利的科学家，2021年全职归国，在中科院下属机构创立先进光刻研究小组。短短四年时间，他和团队就完成了从理论到平台的跨越。在最新发布的论文中，他们公布了一项关键数据，其搭建的EUV实验平台在激发锡等离子体时，转换效率达到了3.42%，不仅超过荷兰、瑞士等国际顶级高校的研究水平，更是逼近了商用设备二氧化碳激光方案5.5%的效率极限。而这，仅是开始。

与ASML主导的二氧化碳激光驱动路径不同，林楠团队另辟蹊径，采用固体激光驱动方式。这种技术路线在过去虽不被主流采纳，但在近十年的高速发展中，其能量密度、转换效率和系统稳定性都有显著提升。尤其是其小体积、高电光转换效率的优势，使其成为未来EUV光刻设备理想的“替代方案”。如果进一步优化实验参数，该团队推算其理论最大转换效率可逼近6%，有望反超目前全球商用最高水平。

这一研究的意义，不只是一次参数领先。它打破的是西方封锁构筑的“技术神话”，证明中国科研完全有能力在关键领域走出自己的路。美国曾以国家安全名义，多次逼迫荷兰禁止ASML向中国出售EUV设备，还为了彻底遏制中国光刻机的发展，施压荷兰理工大学不许接收中国留学生，同时极力阻挠和迫害欲归国的中国科学家。2019年起，禁令逐步升级，ASML至今未向中国出口过一台完整EUV光刻机。而中国，恰恰在封锁最严的时期，悄然完成了基础研究到平台搭建的飞跃。

面对林楠团队的突破，ASML仍在嘴硬。其CEO富凯在不久前公开表示，中国确实有能力搞出EUV光源，但要造出完整EUV光刻机，还需要“很多很多年”。这句话似曾相识——当年他们也曾说中国在低端芯片上永远无法突破。而现实却是，一次又一次被打脸。

事实上，中国早已不是那个缺芯少魂、等待输入技术的国家。从中微半导体在刻蚀设备上的持续追赶，到华为麒麟芯片的回归，再到长光所、中科院系统布局的EUV核心组件攻关，中国科研正以“模块突破、系统集成”的方式，拼出一台属于自己的EUV设备。而林楠的光源实验平台，正是这张拼图中最关键的那一块。

与此同时，ASML也没有完全掩饰内心焦虑。其2024年财报显示，中国大陆首次取代中国台湾，成为ASML第一大市场，占其全球营收36%以上。尽管面临美国不断施压，这家公司依然决定在北京设立回收与维修中心，以求“曲线留人”。这恰恰说明，即便是西方产业巨头，也无法脱离中国这个全球最大、增长最快的半导体市场，即便美荷再予以阻挠，也拦不住海外学子的拳拳爱国心。

如今，国际局势的变化也让“技术脱钩”的空间在日益收窄。半导体是一项高度全球化的产业，没有哪个国家能够独立完成全流程。美方的胁迫手段固然可以短期奏效，但长期来看，只会刺激中国加快自主创新的节奏，推动技术从“跟跑”转向“并跑”乃至“领跑”。

而这正是林楠和他背后的科研群体所代表的价值。他们不追名逐利，不喧哗炒作，却在一个又一个“看似不可能”的技术点上稳扎稳打。他们是被打压中生长的火种，是逆风而行的答卷者。

从3.42%的转换效率到完整光刻系统，前路依然漫长。但回望来时路，中科院"超分辨光刻装备"打破绕射极限、清华团队研发新型EUV光刻胶、上海微电子28nm光刻机进入量产，这一系列的火种，终将燎原。当林楠以十年磨一剑的坚守突破物理极限，他们书写的不仅是技术参数，更是一个民族在科技长征中的精神坐标。

出处：头条号 @国关大侠客