台积电的N2工艺、三星的2nm计划早已赚足眼球，就在外界默认这场先进制程之争将是“双雄会”时，英特尔用一记漂亮的突袭打破了所有预判。

就在近日，基于Intel 18A（1.8nm）制程的Panther Lake AIPC平台横空出世，这个曾宣称“18A不对外接单”的巨头，以最出人意料的方式拿下了“全球首个2nm级量产芯片”的桂冠，让整个行业为之震动。

在此前的14nm到3nm的制程迭代中，英特尔屡屡错失先机，反观台积电凭借稳定的良率和产能垄断高端代工市场。

所以当英特尔宣布将2nm级制程命名为“18A”时，不少声音将其解读为回避直接竞争，而不对外接单的表态，更让外界猜测其技术成熟度不足，已退出先进制程之争。

但现在看来，这些都只是英特尔的烟雾弹，其真正的目标是用技术代差实现“后发先至”。据了解，英特尔的18A制程共有两项颠覆性创新，一是RibbonFET晶体管架构，二是PowerVia背面供电技术。

先说RibbonFET晶体管架构，这与台积电、三星沿用的GAAFET技术路径形成了本质区别，如果说传统GAAFET是“改良式升级”，那么RibbonFET就是“重构式创新”。

它通过垂直堆叠的纳米带结构实现三维电流控制，相比FinFET晶体管驱动电流增强20%，开关速度提升15%，漏电率更是降低30%。

这种立体结构让晶体管密度较Intel 3工艺提升30%，达到2.5亿/mm²，为芯片性能飙升奠定了基础。

至于PowerVia背面供电技术，则解决了先进制程的“布线死结”，随着晶体管密度激增，正面供电网络与信号线路的冲突日益严重，导致电压损耗和性能瓶颈。

英特尔创新性地将供电层转移到芯片背面，通过纳米级矽通孔实现电力传输，不仅让芯片密度再提升5%至10%，更使电压损耗减少30%，直接将ISO电源效能提升4%。

更关键的是，这两项技术的组合产生了“1+1>2”的效应，相比Intel 3工艺，18A制程每瓦性能提升15%，功耗降低25%，同时使EUV光刻步骤减少42%，大幅优化了制造成本。

虽然台积电和三星也研发出2nm技术，但技术路线的局限性逐渐显现，两者均采用GAAFET技术，本质上是对FinFET的延伸优化，并未能实现架构性突破。

台积电计划2025下半年量产N2工艺，但受制于供应链协调问题，良率爬坡速度不及预期。三星虽宣称同期启动生产，但其3nm制程的良率波动问题尚未完全解决，2nm产能释放更需时间。

更重要的是，两者仍沿用正面供电设计，在晶体管密度和能效比上已落后于英特尔的技术路线。

此次发布的Panther Lake平台，更是英特尔技术实力的集中展示，作为首款18A制程产品，其计算模块采用全新的Cougar Cove P核与Darkmont E核，GPU升级至12核Xe3架构，性能较前代暴涨50%，支持1080p 120fps游戏流畅运行。

在AI算力上，其NPU与GPU协同可提供180 TOPS算力，能轻松应对实时视频编辑、AI代码生成等高强度任务，精准契合AIPC的核心需求。

更具战略意义的是，该平台采用模块化设计，通过Fabric Gen2互联技术实现不同制程模块的灵活组合，既保证了核心性能，又降低了整体制造成本。

长期以来，“代工优先”的模式让台积电占据优势，但英特尔的IDM 2.0战略通过“设计+制造+封装”的垂直整合，展现了更强的技术把控力。

当台积电还在为苹果、高通等客户的需求平衡产能时，英特尔能集中资源攻克核心技术，这种“以产品促技术”的路径在此次18A突破中得到充分验证。

英特尔用18A制程证明了自己仍是半导体创新的核心玩家，从“落后者”到“领跑者”的转变，不仅让“Make Intel Great Again”的口号落地，更打破了先进制程的垄断格局，为全球半导体产业注入了新的竞争活力。

随着Panther Lake在2025年底正式量产，当更多18A制程产品进入市场，全球芯片产业的竞争天平已开始倾斜，英特尔的“老六式”逆袭，或许只是新一轮技术革命的开端，而这场革命，终将重塑我们对计算能力的所有想象。

出处：头条号 @鹿人同学