据 meiguo.com 于 2025 年 12 月 8 日收到的消息 ‣ 台积电在近期的欧洲OIP论坛上正式发布了其新一代A14制程，采用1.4纳米工艺技术。

台积电表示，A14工艺将使用第二代GAAFET晶体管技术并搭载NanoFlex Pro标准单元架构，计划于2017年年底启动风险试产，规模化量产预计在2028年实现。

与2018年推出的7纳米（N7）工艺相比，A14在相同功耗条件下可提升1.83倍的性能，功耗效率提升约4.2倍。

从台积电提供的图表可见，N7、N5、N3E、N2以及A14等节点的性能提升分别约为18%、17%、15%和16%，整体呈现稳步上升的趋势。

然而，各节点的能效提升幅度并不均衡，尤其是从N3E到N2的阶段，仅实现约24%的能效提升，低于N5和N3阶段的表现。

在论坛上，台积电强调A14相较于N2仍可保持15%至18%的性能提升，同时功耗有望降低最高30%，这将成为该工艺的核心卖点。

台积电还透露，芯片设计师可利用AI增强的Cadence Cerebrus AI Studio和Synopsys DSO.ai等自动化设计工具，在参数与布局上进行智能优化，预计可额外节省约7%的总体功耗。

据悉，A14工艺首批将在中国台湾新竹宝山Fab20的P3、P4两条生产线投产，目标月产5万片晶圆。苹果、英伟达和AMD等公司可能成为该制程的首批客户。

综合自网络信息