当地时间本周四，IBM、Sony、东芝宣布，它们将延长在先进芯片制造技术开发方面合作的期限。它们的合作将包括与新一代芯片相关的基础研究，其中包括材料研究。

三家公司将投资数目没有公布的资金开发技术，使它们能够采用比现有技术至少先进二代的技术制造芯片。目前，0.09微米工艺是比较先进的芯片制造工艺，Intel等一些公司
最近已经启动了0.065微米工艺生产线。数年来，三家公司一直在开发最先进为0.045微米工艺的芯片制造技术。根据新的合作协议，它们将联合开发0.032微米级的芯片制造工艺。三家公司都可以利用联合研究的成功，例如东芝可能将相关技术用于系统芯片和内存芯片。

三家公司和Sony计算机娱乐公司一直在合作开发可以在PlayStation 3游戏机和其它消费者电子产品中使用的先进芯片。Cell芯片将在今年投产。

根据新协议，开发工作将在纽约州的三个地点完成：托马斯·J·沃森研究中心、奥尔巴尼纳米科技半导体研究中心、IBM在East Fishkill的芯片工厂。

随着芯片技术的进步，以及需要投资资金和时间的大幅度增长，日本半导体厂商对合作越来越有兴趣了。通过联合，日本公司希望日本的半导体产业能够保持对外来厂商的竞争优势，特别是来自Hong Kong特别行政区、中国台湾、美国的人。

去年年底时，东芝公司表示，它与日立、Renesas正在考虑建设一座半导体制造厂，为三家公司生产先进的芯片。