2006年1月12日，IBM、Sony集团、东芝今日宣布，将联合开展一项新的为期5年的技术合作开发项目。三家公司将紧密合作，研究基于32纳米及更先进的高级处理技术。

这项协议将帮助三家公司更加迅速地完成对各种新技术的调查、鉴别及商品化进程，以满足消费者的需要及其他应用。

在过去的5年中，Sony集团、Sony电脑娱乐公司、东芝和IBM，共同致力于研发CELL微处理器，其突破性的SOI(硅绝缘体)处理技术采用90和65纳米标准。

“这是一项成功的合作，”东芝集团半导体公司总裁兼首席执行官Masashi Muromachi说，“由于具备了东芝前沿的处理技术和制造工艺，再加上Sony多样化的半导体技术和对消费类市场的深入了解及IBM艺术般的材料技术， 我们可以预见，对新一代32纳米处理技术的研发将取得突破性进展。”

东芝将运用这些研发成果，以保证其对前沿处理技术的持续领先地位，并加速关键部件的发展，毕竟，这是一个讲求“连接”无处不在的时代。

“IBM、Sony和东芝在基础研究方面的关系拓展，是极具潜力的，”Sony集团公司执行官兼EVP、半导体事业部总裁Kenshi Manabe说，“这项合作开发的项目，通过对潜在技术、部件构造、革新性材料和独特处理器工具的详尽可行性研究，将有助于加速从基础研究到实现商品化的进度。”

“通过共同致力于开发新一代处理技术和在研发层面的深入合作，我们期望能为重要的技术发展提供更广阔的研发空间。”IBM系统技术集团半导体研发中心Lisa Su说到。

该项研发将在三个地点同时进行：位于纽约州Yorktown Heights的IBM Thomas J Watson研究中心；位于Albany NanoTech的半导体研究中心和位于East Fishkill的IBM 300毫米制造厂。