据DRAMeXchange新发布报告，圣诞前夕DRAM现货市场供给已开始吃紧，从而刺激DRAM买气，特别是eTT (UTT)颗粒以及Hynix 512Mb 64Mbx8。另外，本星期的NAND Flash现货价仍处于下跌，相较于上星期，低容量颗粒价格跌速已趋缓，但高容量颗粒，特别是16Gb的价格则有跌幅增大情况。

DRAMeXchange指出，12/14至12/20日，DDR 32Mbx8 400MHz的价格已2美元上涨至2.
11美元。DDR 512Mb 64Mbx8则从3.85上涨至4.16美元。而上周DDR eTT 256Mb从1.86上涨至2.02美元，DRAM买家也开始对DDR2感兴趣，目前DDR2 512Mb NMB价格约3.03美元，DDR2颗粒则维持在3.72美元。

自12月以来，圣诞前夕订单大幅带动现货市场对DRAM的需求。但随着DRAM价格下跌过快与多数DRAM制造商不愿以过低价格供货，供给因而逐渐吃紧。12/7~12/13主要DRAM颗粒的价格并没有太大波动；而上周DRAM价格不跌反涨，造成许多渠道商屯货，因而在12/16日使DRAM价格达到高峰。

在DDR价格上涨的鼓励下，Samsung 也尝试提高SDRAM颗粒价，包括SDRAM 1Mx16、4Mx16及8Mx16。然而，SDRAM需求并没有浮现，且交易情况也转为平淡。最终的成交价维持不变。

在NAND Flash市场方面，DRAMeXchange指出，主要需求来自于记忆卡制造商。由于低容量1Gb至4Gb NAND Flash的价格连续下跌，促使制造厂在现货市场中搜货来供给圣诞节前的最后几批订单。尽管现货价格跟随需求升高，但需求会被上扬的价格立即压低，最后现货价格又会下跌以刺激买气。

16Gb颗粒跌幅显著的原因是最近16Gb的供给量大幅增加，但是却没有相对的需求，因而导致价格跌落至74.56美元。这个价格已经低于小型客户的合约价，而趋近于中型客户的。由于现货价已跌破一些客户的合约价，导致16Gb NAND Flash本周现货市场上乏人问津。

作者：时之砂