作者：安迪

韩国现代半导体公司(Hynix Semiconductor)日前披露了它的雄心勃勃的产品路线图，公司将大规模生产基于NAND 的闪存芯片。

在韩国半导体产业协会举办的韩国半导体2005产业大展(SEDEX Korea 2005)上，据现
代半导体公司官员表示，现代半导体公司正在开发首款采用70纳米制造工艺基于NAND 的闪存芯片，其中包括一款储存密度为16GB 的芯片。公司采用单级单元(SLC)技术构建的芯片将投放市场，这些芯片采用了90纳米制造工艺，是一些储存密度为1GB、 2GB、 4GB和 8GB的基于NAND 的芯片。

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