作者:天虹

9月21日消息，Intel已经把减少芯片耗能量当作自己新的头等大事。Intel本周二将宣布，它已经把晶体管的漏电量减少了1000倍，以便在它输给竞争对手的领域展开有力的竞争。

据英国金融时报报道，这项技术进步是在面向小型设备的超低电压芯片中使用的。与其拥有80%的市场份额的PC领域相比，Intel在这个领域相对来说还是不成功的。

Intel最新的生产工艺把晶体管的长度从90纳米缩短到了65纳米，从而使Intel能够把在一个单独芯片上使用的晶体管数量提高一倍。晶体管安装得密度越大，控制漏电和产生热量就越困难。晶体管甚至在“关闭”状态下仍可以漏电。但是，Intel称，改进的设计显著减少了三个主要的漏电根源。这三个主要的漏电根源是：亚阈值(sub-threshold)、连接点和栅极氧化层漏电。

Intel制程架构与整合部门主管和高级研究员马克·波儿(Mark Bohr)说，随着某些芯片上的晶体管数量超过10亿个，显然单个晶体管的改进能够为整个芯片带来巨大的好处。Intel采用超低电压的65纳米工艺技术制作的测试芯片已经表明，芯片的漏电量比采用目前的生产工艺制作的芯片减少了1000倍。这就意味着这种芯片能够为使用基于这种技术的设备的用户节省很多电。

In-Stat研究公司主要分析师吉姆·麦格雷戈(Jim McGregor)称，虽然这种技术将减少笔记本电脑>