作者：安迪

美国东部时间9月20日(北京时间9月21日)当地时间本周二，Intel公司宣布将制造用于手持装置和手机芯片。公司制造业的官员称，这款芯片在一个单独的版本上采用未来最先进的制造技术，能够把晶体管的泄露电流降低到最低限度。

Intel公司工艺架构与执行主管 Mark Bohr表示，新的芯片将采用65纳米制造工艺，超过了公司目前芯片的制造蓝图。将采用下一代PC和服务器芯片技术来解决电流泄露问题。能量消耗和浪费是Intel公司65纳米制造技术开发中最主要的难题。

目前的晶体管已经发展到了很小的90纳米时代，通常用来制造Intel公司的最先进的芯片。晶体管在运行时由于芯片发热可能产生电流泄露，某些情况在晶体管不运行时也会产生电流泄露。过去数年来，电流泄露问题由于Intel公司的营销和设计策略日趋严重——Intel公司强调更快的时钟频率和芯片较好的销售。

提高芯片的时钟速度或每秒完成大量的指令需要更多的能量。Intel公司过迟的认识到必须通过设计和制造策略来控制能量消耗和电流泄露。它宣布了通过低能量观念重新设计芯片，并追求制造技术在PC和服务器的晶体管中减少能量消耗。

Bohr 表示，积极的能量管理策略是设计所必需的，将导致另一种65纳米制造工艺的开发。在一些不需要更多功能的PC和服务器的芯片进行设计时，能够明显的减少能量的消耗。另一种制造工艺在制造未来芯片时基本上相同于65纳米工艺，例如Yonah芯片，它是一款双内核版本的 Pentium M 笔记本处理器，预期明年早些时候投放市场。

Intel公司在采用低能量工艺技术时提高了晶体管电压的极限，一个晶体管的极限电压是改变晶体管状况所必需的能量。提高了晶体管极限电压可以减少问题发生的可能性。

Intel公司的发言人表示，公司先前的竞争对手Transmeta公司重新修改了这一技术的商业许可，根据性能需求主动升高或降低晶体管的极限电压。Intel公司的方法是静态的，所有晶体管都采用了低能量的方法提高它们的极限电压。

Bohr指出，Intel公司也减少了晶体管和硅基层之间结合点电流泄露的数量，IBM公司和AMD 公司采用了SOI(硅绝缘)技术，减少了晶体管进入芯片基层的电流泄露。对AMD公司在新的芯片中减少电流泄露的方法Intel公司表现了较低的兴趣。Intel公司认为它的方法太昂贵。尽管硅绝缘技术控制电流泄露能够覆盖所有的晶体管，但Intel公司控制结合点电流泄露是晶体管的一个优势。90%的控制结合点电流泄露获得了成功。但公司拒绝详细说明控制结合点电流泄露的方法。

Bohr表示，事实上所有的这些技术都降低了晶体管的性能。 但不是每个芯片都需要同样多的性能，例如PC处理器。新的工艺将给Intel公司的芯片设计家提供制造用于手机、手持设备和其他电子装置的低能量芯片的方法。

Intel公司指出，低能量制造工艺和运行大约需要一年的时间，目前正在Fab D1D工厂进行开发，在俄勒冈州(Oregon)的Hillsboro工厂里进行制造研究和开发。

本周一，制造手机芯片领先厂商德州仪器宣布了它自己的65纳米芯片制造能量管理技术。它的SmartReflex技术是一种结合硬件和软件减少手机芯片能量需求的新技术。