作者：陆扬

据非汉语媒体报道，英飞凌日前推出了针对低成本高性能射频半导体设备的新型硅锗碳(Silicon-Germanium Carbon)制程技术。这种硅锗碳技术是英飞凌最新一代异质结双载子型晶体管(HBT)的基础。HBT为采用硅晶体的离散晶体管实现了全球最低的噪声值，在6GHz条件下仅为0.75dB，同时能在相同条件下实现达19dB的增益。

随着新的HBT系列产品(BFP740)的推出， 英飞凌弥补了现有性能差距 ，这些特色原来只能透过使用更昂贵的采用砷化镓(GaAs)的技术来实现。

新型硅锗碳晶体管适用于多种频率超过10GHz的射频和无线应用，如低噪声放大器(LNA)、微波振荡器以及各种标准的通用放大器，包括全球定位系统(GPS)、无线局域网(802.11a、b、g)、WiMAX、无线电话、超宽频(UWB)、卫星电视LNB(低噪声模块)和卫星广播服务(如XM广播、Sirius和数字音讯广播)。

英飞凌推出的新型射频晶体管的转换频率是42GHz，并能提供目前硅锗碳市场上能实现的最低噪声值水平：0.5dB/1.8GHz和0.75dB/6GHz。凭借28dB/1.8GHz到19dB/6GHz高度的最稳定增益和低电流执行，这些设备是许多射频和无线应用的理想选择，例如无线局域网络(WLAN)。英飞凌的HBT芯片为实现额外的高可靠性采用了黄金金属化技术。

英飞凌硅锗碳制程技术独特之处在于大幅度降低的基极电阻，因而达到全球采用硅晶体的离散晶体管的最低噪声值。另外，该公司还开发了大幅度削减寄生接地电感的新方法。这种独特的接地概念允许在继续使用低成本产业标准塑料封装的情况下，在更高的频率下获得高增益值。

BFP740 HBT系列产品正进行量产，并采用标准SOT343 (BFP740)、铅薄板TSFP-4 (BFP740F)和超小3针脚无铅TSLP-3 (BFR740L3)封装。TSLP-3的封装尺寸只有1.0mm×0.6mm×0.4mm。