刘易守 编译

据港台媒体报导，全球半导体过剩库存(Excess Inventory)经过连续2季快速下滑后，随着2005年第二季(Q2)景气回稳，市场多预期过剩库存可望进一步大幅缩减，但由于内存渠道及模块厂纷看好下半年景气，DRAM与NAND型快闪存(Flash)恐将供不应求、价格攀扬，遂抢先在Q2展开拉高库存动作，并造成全球Q2半导体过剩库存下降程度远不如预期，然若此
番押注失准，恐导致下半年内存库存过剩梦魇重演。

据市场调查机构iSuppli最新报告显示，2005年Q2全球半导体过剩库存水准未如预期大幅降低，而与Q1过剩库存水准持平，其中，DRAM与NAND型Flash厂商不仅未出现大清库存动作，反而逆势展开库存堆积，等待下半年价格上扬、以期抢先获利。

尽管内存厂商宁可牺牲上半年获利，手握库存在下半年待价而沽，惟分析师Len Jelinek指出，2005年下半需求面能否高过供给面，仍需视厂商产能过剩情况而定，一旦下半年需求未如预期，市场可能重蹈2004年Q3产能过剩、库存堆积的覆辙。

分析师Rosemary Farrell指出，相比于2004年Q2～Q3，目前所呈现的过剩库存水准下降趋缓，主要是由于产品均价(ASP)跌幅过高，致使内存厂商有意减缓消化库存速度，等待均价回升。

台湾地区内存厂商则表示，拉高DRAM与NAND型Flash库存动作，主要出现在渠道及模块厂商，至于在原厂方面，迄今并没有屯积库存的现象，由于下半年内存市场供需实在难以掌握，原厂供应量及市场需求力道无法准确拿捏，使得渠道及模块厂陷入两难，不过，以目前景气能见度愈趋明朗化之际，押注下半年将供不应求的厂商越来越多，拉高库存、等待价扬的动作也更加明显。

事实上，尽管美光(Micron)2005年3～5月呈现钜额亏损，然相比于尔必达(Elpida)、英飞凌(Infineon)，美光却反而有意蓄积DRAM库存水准，况且，看好下半年DRAM市场的厂商，还不只有美光一家，像是不少台厂下半年便将DRAM作为扩产重点，至于Samsung 电子(Samsung Electronics)则持续加码扩产NAND型Flash。

根据iSuppli最新统计资料显示，原先估计Q2全球半导体过剩库存水准可望降到5亿美元以下，不过，在内存厂商有意提高库存水准情况下，Q2过剩库存水准约达7.16亿美元，仅比Q1的7.8亿美元过剩库存小幅减少8.2%。