作者：winny

近日，市场调查公司iSuppli发布了一份关于通用内存(universal memory)技术的报告，并对这项技术的潜力做出了评估。

通用内存的特点包括有：快速读取储存，几乎无限次的擦写，低生产成本，更小能
耗和非易失性等等。现时成熟的技术产品中，Flash与这种内存技术最相似，然而Flash擦写次数有限，也不可能以RAM的速度读取数据。SRAM或者DRAM则是易失性内存，存储内容随着电源的断开而释放。

目前，已经有接近通用内存的产品涌现，如相变化非挥发性内存(Ovonic Unified Memory，OUM)、磁电阻式内存(Magneto-resistive RAM，MRAM)、铁电随机存取内存(Ferroelectric RAM，FRAM)、奈米管内存(Nanotube RAM ，NRAM)，iSuppli由此看到了该领域巨大的发展潜力和利润。该公司还预计，到了2019年，通用内存将可能带来763亿美元的收入。整个内存市场的总量将会从2004年的468亿美元上升到2019年的955亿美元，通用内存的份额将整个市场的80%。

事实上，目前还没有任何内存制造商计划将现有的内存技术向通用技术进化。MRAM是目前接近通用意义的内存技术，但预计MRAM在2008年或2009年前不会对市场带来很大的冲击。