据港台媒体报道，国际DRAM大厂转换产能抢攻NAND型Flash市场效应快速扩散，继Samsung (Samsung)率先启动产能转换，并于日前通知下游DRAM模块厂客户，7月起全面展开强制配货动作，现代(Hynix)也将自7月起大举调配产能投入Flash生产，加上力晶紧接着自8月起转移产能，在3大DRAM厂连续响起DRAM供货警报情况下，DRAM模块厂即将进入长达数个月的供货枯水期。

DRAM模块厂商表示，原本DRAM供货量仅受到Samsung 转换产能影响，因而还未明显感受到货源不足压力，但自7月起，现代同样也将转换产能至Flash，在2大DRAM厂双重效应冲击下， DRAM供货量大减，并连带使得Samsung 决定自7月起，对于下游DRAM模块厂全面采取强制配货动作，所有DRAM颗粒货源均优先供应国际OEM电脑大厂。

事实上，Samsung 自2005年第一季末逐月增加NAND型Flash产能，并自6月起DRAM供货量减少效应开始扩散，不过，由于6月时仅有Samsung 因转移产能对DRAM市场造成影响，使得6月DRAM颗粒平均合约报价，仅出现持平或微幅增加状态。

DRAM模块厂指出，7月起现代也将正式加入转移NAND型Flash产能行列，预计DRAM市场供货量将持续降低，并使得DRAM颗粒合约价将很有机会在7月上半调涨约5～10%。值得注意的是，8月起力晶增加对瑞萨(Renesas)AG-AND型Flash代工的转产效应也将显现，届时将造成DRAM市场供货来源‘三缺效应’同时发生。

更重要的是，国际OEM电脑大厂需求自6月起已逐步增温，7月起更将进入信息产业传统旺季，加上国际DRAM大厂均将优先以供应OEM电脑大厂为主，因此，DRAM模块厂恐将面临长达数个月的供货枯水期，各家DRAM模块厂仅能各凭本事寻找DRAM货源，预计台DRAM厂可望因而受惠。