DRAM制造业巨头调换产能抢攻NAND型闪存市场的效应正在快速扩散，那就是内存芯片正面临缺货危机。Samsung 、Hynix以及中国台湾的力晶纷纷实施或宣布了将产能转调入闪存生产的消息后，内存模块制造商即将进入长达数个月的供货“枯水期”。

内存模块制造业人士称，原本DRAM芯片供货量仅受Samsung 转换产能影响，还没有明显感受到货源不足压力，但从7月起，Hynix也将转换产能生产闪存，在2大DRAM芯片制造商双双
转换产能的冲击下，DRAM芯片供货量大减。Samsung 还决定从7月起，对下游DRAM模块制造商全面采取强制配货行动，保证DRAM芯片货源均优先供应跨国的大型电脑制造商。

事实上，Samsung 从2005年第一季度末逐月增产NAND型闪存后，6月起DRAM供货量减少的不良效应就已开始扩散，不过，由于6月仅有Samsung 转移产能，因此6月DRAM芯片平均合约报价与之前持平或仅有微幅增长。

不过，从7月起Hynix也转换产能增产闪存后，预计DRAM市场供货量将持续降低，并使得DRAM颗粒合约价将很有可能在7月前半个月涨价约5%～10%。值得注意的是，8月起力晶增加对瑞萨(Renesas)AG-AND型闪存代工的转产效应也将起到火上浇油的效果，届时可能造成DRAM市场供货来源“三缺”效应同时发生。

更重要的是，大型电脑制造商们对DRAM的需求从6月起就已逐步增加，由于7月IT市场将进入传统上的旺季，加上DRAM制造商只优先向大型电脑制造商提供DRAM芯片，因此DRAM模块制造商们未来恐将面临长达数个月的DRAM芯片供货“枯水期”，目前各家DRAM模块制造商们只能自行寻找DRAM货源，预计中国台湾的一些DRAM芯片制造厂可望因此得利。