作者：太平洋新闻中心

据港台媒体报道，日前有DRAM业者指出，DRAM第三季有机会表现从谷底攀升的行情，标准型DRAM库存水位处在低点，加上利基型DRAM供给减少。

茂德表示，DRAM产能移转到闪存(NAND Flash)和DDRII，将使DRAM第三季出现好行情
，首先受惠的就是DDRI。包括国际大厂Samsung 、Hynix、尔必达(Elpida)、中芯(SMIC)自第二季起皆有产能移转至DDRII的计划，使得DDRI第三季有机会出现供应吃紧的状况。

目前DRAM合约市场已经回稳，6月上旬OEM客户拿货积极，6月下旬有机会出现价格续涨，单颗主流256MB芯片已经回升2.5美元，有机会挑战2.6美元；512MB目前报价约4.95美元，有机会回升5美元。

闪存方面，目前Elpida则因DDRII良率问题，减缓NAND Flash量产进度，中芯也因英飞凌要求供应更多的标准型DRA-M，暂缓8吋厂NAND Flash量产时程，不过美光12吋厂则挪15至20%产能量产2GB闪存，加上Samsung 、Hynix积极扩产，使得整体NAND Flash市场第三季价格仍不乐观。

创见表示，Samsung 今年策略性降价四成，目前为止降价幅度约一成，第三季仍有不小降价空间。目前8G、4G、2G、1G合约价各约46、26、13、7美元，第三季恐濒临40、20、10、5美元关口。