12月5日消息，据非汉语媒体报道，内存制造商韩国Hynix半导体公司今天宣布，公司已经成功开发出了512MB容量的手机用DRAM内存，运行速度为200MHz。该公司称，这是目前全球最快和最小的手机用内存。Hynix公司还指出，目前一家主要手机芯片组公司正在对该内存芯片进行校验，校验工作已接近完成。

Hynix公司称，通过32位输入输出方式，这款512MB的手机DDR SDRAM内存可以每秒1.6G速度处理数据，几乎是目前Hynix公司现有手机内存处理速度的1.5倍。

Hynix公司预测，新的DRAM手机内存将增强该公司在手机应用方面的竞争力，手机内存正向微型化的趋势发展。此外，Hynix公司还希望能将512MB DRAM手机内存与NAND闪存整合为多芯片封装（MCP)。