Donna 编译

MIT(麻省理工学院)的工程技术人员将于当地时间本周一发表一篇有关晶体管技术方面的研究论文，他们希望能够在开启迷你电子产品方面发展到一个新的阶段。

据MIT的工程师预计，硅晶体管的尺寸和性能在未来的10到15年之内将达到极限。因此，包括MIT在内的很多组织都正在研究怎样利用新的复合材料生产晶体管这一课题，它们希望能够克服硅晶体管本身存在的漏洞。一种可能的材料就是铟砷化镓(InGaAs)，电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL(微系统实验室)最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸，提高信息处理的速度。

据MTL的电子学和计算机科学教授阿拉莫表示，我们每天都在使用手机、笔记本电脑以及iPod等产品中的数十亿个晶体管。因此我们也正在对新的晶体管材料进行研究，在减少尺寸的同时进一步提高产品的性能。InGaAs比硅更容易被伤，因此，大规模生产晶体管存在着很大的困难。但据阿拉莫教授预计：在未来的两年之内将会开发出原型的InGaAs产品。

Intel公司对这一成果表示很满意。据Intel公司晶体管和纳米技术研究部门的高级技术人员罗伯特在一次声明中表示，阿拉莫教授的研究小组演示的60纳米InGaAs晶体管在比较低的电压上显示出了令人深感激动的性能，是很具里程碑意义的。