IBM、Macronix (旺宏电子)及Qimonda(奇梦达)宣布共同研发的“相变化内存”(Phase-Change Memory，PCM)技术获得重大突破，此新型内存转速较闪存(flash)快500多倍，读写数据耗电量少1/2，此项新技术突破将替未来半导体科技产业写下崭新一页。

IBM、Macronix及Qimonda共同发表联合声明表示，该新型计算机内存可能取代目前广泛应用于计算机及一般 消费性电子产品的闪存。

声明中表示，该内存采用一种新的半导体合金，尺寸较一般闪存更小，这使得未来新一代高密度 非挥发性内存设备与功能更强大的电子产品成为可能。

声明中指出，非挥发性内存不需要电力来保存信息，透过非挥发性、卓越性及可靠性3种技术的结合， 新内存技术可望制造出应用于移动通讯的通用内存。

IBM、Macronix及Qimonda连手的研究团队日前于国 际电子组件大会(IEDM)上首度发表这项成果，证实仅需 要小于100微安培的电流，即可在厚3奈米，宽20奈米之GeSb(Germanium Antimonide)组件上迅速完成相变化， 这项新技术对未来10多年后才会进入20奈米的预测，提供了可行性的前景，因此相当具有影响性。

《日本经济新闻》今(2006)年6月份报导指出，日本Elpida Memory将从今年开始投入一种名为"PRAM"的原型相变内存设备研发，并计划在未来2-3年内投入量产，报导指出，Elpida将开始生产的可能是128M的PRAM芯片。