12月19日消息，据非汉语媒体报道，韩国Hynix公司近日发布了基于60纳米工艺制造的高容量内存模块和系列产品，即1GB DDR2 DRAM芯片。新内存适用于高密度DRAM组件和诸如显卡和手机DRAM芯片这类高性能产品。韩国芯片制造商称，公司将在明年上半年进行新内存的商业化生产。

这种1GB和2GB高性能内存的运行速度是800MHz，并已经Intel公司校验。Hynix公司强调，随着60纳米级工艺的改进，与第一代80纳米技术相比，1GB DRAM内存的制造成本有望降低50%。

Hynix公司说，这种1GB尺寸的封装结果可使公司制造降低成本的4GB或更高容量内存。因为较小的封装尺寸可制造出平面双排内存，不再需要在某些模块中堆积组件，从而降低了内存生产的整体成本。