当地时间本周一，韩国储存芯片制造商现代半导体公司宣布，它已经开发出全球最快的计算机储存芯片。

现代半导体称，这款全球最快的储存芯片是采用先进的60纳米制造工艺开发的，目前已经通过了计算机微处理器制造商Intel公司的测试认证。

现代半导体表示，公司计划明年早些时候将开始大规模生产这种储存芯片，新开发的储存芯片运行时钟频率为800 MHz，相比之下，目前市场上运行时钟频率最快的储存芯片为667 MHz。

现代半导体指出，与先前采用80纳米制造工艺生产的芯片相比，采用60纳米制造工艺开发的1GB储存容量，300 MHz时钟频率的 DDR2 DRAM 储存芯片成本效益提高了50%。

开发这些新的芯片采用了二种新技术，现代半导体命名这二种技术为3-D晶体管和3-层配线技术。

刘清河 编译