日前，韩国现代(Hynix)半导体公司宣称，已开发出世界上最快的PC内存芯片。

Hynix采用60纳米技术开发这种新型芯片，并已经过了Intel实施的认证测试。Hynix表示，将于明年开始大规模生产这种芯片。

Hynix表示，公司开发的1G、300赫兹的DDR2 DRAM芯片，也比此前采用80纳米技术开发的芯片效率提高约50%。Hynix使用两种新的技术，即3-D晶体管和3-Tier配线技术开发这种新的芯片。