-特约撰稿 莫大康

全球存储器业的进展起伏性很大。自1998年至2004年期间，明显地有两个峰值，即2000年及2004年，总量均达380亿美元。自2005年开始，全球存储器业进入发展快车道，成为推动全球半导体业增值的主要力量。据iSuppli的最新预测，2006年全球存储器总的市场可达604亿美元，比2005年提高21.5%。其中DRAM为355亿美元，NAND闪存为121.2亿美元。预计2007年全球存储器市场将可能放缓，为663亿美元，比2006年提高9.8%。

终端应用扩大

从存储器的定义看应包括DRAM、闪存(NAND及NOR)以及SRAM。继2004年起，全球在DRAM及NAND方面不断扩大投资，至2006年开始产能迅速扩大。

2005年美国Apple公司的iPod吹响了全球NAND闪存爆炸式增长的号角。加上芯片巨人Intel与美光合资兴建IMFlash厂等，让人们重新开始认识NAND闪存的市场能力与地位。

毫无疑问，终端电子产品中存储器应用范围的扩大，是推动半导体业进步的主要因素。如在PC中，2005年的平均内存容量为625Mb，2006年增为800Mb，预计2007年个人电脑中的存储器平均容量将再增长35%，达1080Mb。

Microsoft的Vista操作系统的推广将是存储器增长的又一亮点。Samsung 称未来3年内，Vista将带动230亿美元的内存及显存市场。预计在2007年将有30%的PC安装Vista操作。

另一个推动存储器增长的动力，可能来自全球音乐手机及视频手机的应用。预计全球音乐手机于2007年达8000万部，由此带动NAND闪存市场上升20%。另外Apple公司新推出的iPphone，将结合手机及MP3的功能，前景看好。

另外从IC Insight最新预测，2006年全球半导体中增长最快的10类产品中，有3种是存储器产品，其增长率均在20%以上。

其他新的应用，如新帝公司最近宣布的带32GbNAND闪存的硬盘混合型储存装置，既可加快处理器的运算速度，又可使硬盘的使用频率大幅降低,从而增加硬盘的使用寿命，并延长传统硬盘的生存空间。

投资显著增长

据SIA报道，全球前道工艺设备投资，2004年为271亿美元，其中按类别分：存储器占33%、Flash占6%、Foundry占31%、IDM占29%。而2005年的252亿美元中，存储器占41%、Flash占11%、Foundry占19%、IDM占29%。

市场调研公司iSuppli及Gartner对2007年存储器市场颇具信心，认为存储器产品可能在DRAM与NAND之间转换，工艺技术进步已经达80纳米制程，而从成品率考虑，所需的学习曲线时间不会太短，会促使2007年存储器市场处于平衡调节状态。iSuppli预计2007年存储器的资本支出增幅为12%，达241.5亿美元。而Gartner则预计2007年存储器资本支出增7%，达280亿美元。Gartner预测，中国台湾及韩国的厂商投入将超过100亿美元用在12英寸生产线的升级或新建12英寸厂中，其中海力士2007年资本投入40亿美元，与2006年相当，其中六成用在12英寸晶园投资中。无锡的合资厂2007年第三季度可以投产NAND闪存。美光则表示2007年投资40亿美元，其中15亿美元用于IMF合资厂。Samsung 预计2007年存储器市场强劲，整体资本支出会稍高于2006年的71亿美元，除了主要用于Samsung Line15的最新12英寸厂外，其他用于制程升级。

尽管业界担心，资本支出加码，势必带动产能的增加。但是人们似乎并不担心过剩，因为全球在2004年及2005年时也曾大手笔地扩产，由于多元化策略的奏效，具有高度弹性生产。预计2007年全球存储器进人80纳米制程，在达到认可良率之前，可自动抑制产能的开出。

近几年来，存储器业在投资方面没有缩手，美林证券公司最新预测认为，由于投资的不断扩大，致使全球存储器的芯片生产线的数量增加,产能扩大。

技术进步加快

全球存储器基本上可看成两大阵营，Samsung 、海力士以标准DRAM为主，而东芝及新帝、Intel及美光以NAND闪存为主。两大阵营对决，互不相让。东芝誓言拿下40%市占率，加上巨人Intel的Robsons技术将在2007年第二季度问世，所以2007年大战在即。全球存储器业有6大组合骨干厂，如Samsung 、海力土、东芝和新帝、Intel与美光、瑞萨与力晶、奇梦达和中芯国际。其中Samsung 和海力士是以标准DRAM及NAND闪存并重,2007年在Vista推动下，可能以DRAM优先。而东芝和新帝及Intel和美光则以NAND为主。东芝记取过去在景气低迷时缩减投资教训，此次在NAND闪存中下足猛药。从2006年的第三季度看，全球NAND排名中，Samsung 占43%，而东芝仅占27.8%。但是东芝是全球NAND的技术倡导者，预计在2007年之后，将再增扩4座NAND厂，这样，东芝将拥有总计8座12英寸芯片厂。美光于2007年的40亿美元投资中，有15亿美元将用在IMF中。Intel的Robsons技术以PC应用为主，目的是弥补硬盘的效能不足。Robsons技术主要能将硬盘与NAND闪存结合在一起，作为电脑中储存媒介。原英飞凌的奇梦达及中芯国际均采用非主流的NROM技术，主要来自以色列的Saifun，与Samsung 及东芝相比，NROM技术在成本及效能上都逊色。

存储器业中另一技术进展快的表现为12英寸比重升高。由于12英寸生产线的性价比已经转为优势，估计将有30%的8英寸存储器芯片生产线在2007年出局。全球存储器业中拼的是资金投入及管理水平，即成本控制。Samsung 试图力守NAND闪存价格，但是2006年12月上旬，高容量MLC制程闪存的价格下跌20%，8Gb及16Gb闪存分别失守10美元及20美元关卡，几乎贴近现货价。

2007年全球NAND闪存销售额将达141.88亿美元，比2006年提升17%，但平均售价下降达53%。但与2006年的平均售价下降61%相比，仍是相当不错。(本文作者为美国应用材料公司顾问)

专家观点

竞争加剧 厂商开始分化

业界一致认为，全球DRAM市场最不稳定，产品分配持续变化以及需求模式变动，加上半导体技术的日新月异的进步，给投资商带来很高风险。

全球存储器业间兼并不断，“大者恒大”局面凸显。从上世纪80年代至今，由于竞争激烈，只剩下数个大家。如今从表面看，全球存储器业红火，投资居首位，但是持续的价格下降压力以及拚巨额投资，造成几家欢喜几家愁。

近期的表现，如台积电及中芯国际欲加入NAND闪存代工俱乐部。而另一面，奇梦达及瑞萨却近期宣布暂时退出NAND闪存的竞争。两个方面孰是智者，实在无法预言。

近期中国台湾拓璞产业研究所发表如下看法，认为全球存储器业由5大集团主导，Samsung 、美光、海力士、英飞凌及尔必达。在供给方面，预计2007年中8英寸厂的自然淘汰率将占20%至30%。目前产品组合比例将成为2007年中存储器供需缺口的最大因素，取代以往制程良率改善进度因素。并认为虽然2006年的DRAM市场达355亿美元，比2005年的308亿美元上升达15%，但是在DRAM工艺制程缩小方面，由于硅材料的物理特性限制，在70纳米制程时要提升良率不易，均不易超过50%。因此，反而给台湾地区的存储器厂留出缓冲时间。估计台湾地区的5大存储器厂，在2006年的投片总量达354.7万片，较全球5大厂的500万片并不逊色，所以台湾地区DRAM业在全球的市占率因12英寸产能的扩充，2006年时为15%，而在2007年时可达20%。台湾地区DRAM厂全力建造12英寸厂的最大原因，是希望能借产能及成本优势，在营收及获利上脱颖而出，不再像过去跟随着国际DRAM厂营运表现而上下起伏。

SEMI在2006年1月公布的全球12英寸生产线，按地区分布台湾地区以26%居首位，超过美国的15%、日本的13%以及韩国的21%。反映中国台湾在存储器业中欲与韩国争个高低，这也是一场赌博，结果很难预料。就目前的水平，韩国依仗Samsung 及海力士，在全球存储器业中市占率近50%，而中国台湾地区5个厂加在一起仅占15%，尚有相当大的差距。

全球存储器业起起伏伏，近期渐入佳境，导致众多厂商扩大投资，频下赌注。之所以如此看好存储器业，基于PC中双核和Vista的推广，导致内存的平均容量增加以及NAND闪存与硬盘结合未来有可能替代目前的硬盘。另一个是手机与MP3的结合及手机的视频功能，将大大推动NAND闪存的应用范围。然而，不可忽视的是存储器的价格下降速度快以及投资过大过快，供过于求的局面迟早到来，所以存储器业的风险甚高。中国台湾地区的存储器业欲与韩国争个高低，结果很难预料。但是，可以预期在未来的两年内，存储器仍是全球半导体业增长的主要动力。