12月7日消息(孙淑艳 编译) 据外电报道，IBM和AMD将于本周在一次芯片会议上宣读二篇论文，阐述它们将如何减少0.065微米工艺芯片能耗的问题。

AMD和IBM在它们的生产工艺中增加了二种新技术，“应变”了芯片中的硅层。“应变”使得硅层更均衡和更具有刚性。使电子能够更迅速地移动。这将使工程技术人员设计出性能比现有芯片更好的芯片或能耗更低的芯片。

被称为“嵌入硅锗”的一项技术在P通道晶体管周围挖一条沟，在其中填入硅-锗材料;另一项技术被称为“应力记忆”，被用于N通道晶体管。P通道晶体管传输正电子，即空洞;N通道晶体管传输电子。在“应变”的P通道晶体管中，工程技术人员希望能够增加原子的密度;在N通道晶体管中，他们则希望增加电子的密度。

二家公司还使用了另一项名为“Dual-Stress Liners”(DSL)的应变技术和硅绝缘技术。皓龙和Cell芯片将使用所有这些应变技术。

尽管还不支持硅绝缘技术，但Intel已经在其芯片中使用了锗元素，以及与DSL相似的技术。

与不采用应变技术的芯片相比，AMD-IBM生产工艺中的这些应变技术将能耗降低了40%。由于能耗问题，没有采用这些技术的芯片将很难销售出去。

AMD负责技术开发的副总裁开普勒说，新的硅-锗技术使用的锗元素量无低于早期的技术，生产也更容易。AMD计划在明年下半年开始生产0.065微米工艺芯片，Intel、德州仪器则将在今年年底推出0.065微米工艺芯片。(完)