6月6日消息，3日力晶12B晶圆厂正式启用，2000年时其第一座12英寸厂正式动土，董事长黄崇仁便许下诺言，未来投资中国台湾绝对不会因经济因素而有所改变，并承诺接下来每2年要再兴建1座全新12英寸厂，如今在12A及12B厂相继完工启用后，力晶为展现其深耕中国台湾的决心，未来将再投入约新台币2,000亿元(约合人民币530.2亿元)建造第三座及第四座12英寸厂，届时有高达95%比重用于投资中国台湾市场。

据港台媒体报道，3日黄崇仁于12B厂正式启用典礼中表示，力晶对深耕中国台湾市场的决心绝对不会有所改变，虽每年半导体产业经济起起落落，不过再怎样波动，还是会依照当初规划每2年左右在中国台湾兴建1座全新12英寸厂，而正式启用的12B便是对当初承诺的最佳印证。

接下来力晶将在新竹科学园区第三期兴建第三座12英寸厂，而第四座12英寸厂亦希望能建置在新竹附近，黄崇仁表示，力晶第一座12英寸厂(12A)月产能已达4.5万片的满载水位，至于新启用的12B厂，估计总投资额将近600亿元(约合人民币159.1亿元)，拥有1.4万平方公尺面积的无尘室，预计最大月产能将可达到4万片，年底前12A加上12B 2厂总产能估计可上看7.5万片，2006年更将扩充到约10万片产能。

黄崇仁进一步指出，力晶当前所有标准型DRAM产品已全数转至12英寸厂生产，且是全球DRAM厂中唯一1家，因此对力晶而言，可说拥有绝佳量产成本效益，而接下来2座12英寸厂也将同时专注于NAND型Flash芯片组制造，至于现有的 8英寸厂将逐渐转为利基型晶圆代工服务。

总经理谢再居表示，目前12B厂月产能已达1.5万片，依力晶规划，2005年底12B厂投片量将由原先2～2.5万片提高至3～3.5万片，而产能扩充到一定程度后，不排除将会独自挪出一座12英寸厂全数投产NAND型Flash芯片组，估计未来半年到1年时间内，力晶12英寸厂产能将会有约1万片转移给瑞萨(Renesas)代工AG-AND型Flash芯片组。

至于90纳米制程何时投产，黄崇仁则表示，2005年底会进行试产，2006年将开始渐采用90纳米量产，然重要的是，即使2005年底还未采用90纳米投产DRAM颗粒，但力晶标准型DRAM颗粒包含封装测试成本，1颗256Mb的DDR颗粒报价将可低于2美元，谢再居也认为，到2005年底前价格只要维持在2.5～2.8美元，对力晶来说算是相当不错。