广州12月25日【文\新闻主笔 黄约兴】东芝继在第四季度利用Samsung NAND型MLC制程闪存产能投产不顺而在市场上四处活跃，全力为自己产品打造舆论优势后，日前再度放言将在后年将大量增加NAND型闪存产能，期待2008年的最终产能能够比今年年底增长2倍以上，此言一出引起业界一阵轰动，有业内人士评论称，大家都在扩产备战，未来NAND型闪存供给情况将不可避免面临过剩局面，产业利润很快会被稀释。

根据东芝半导体负责人室町正志表示，东芝期待在2008年年底产较今年年底增长2倍多，达到月产30万片12寸晶圆的目标。为了达成这个目标，东芝将投入大量资金全力扩建12寸晶圆厂产能，明年下半年已经铁定增加一座12寸晶圆厂。由于资源已经全力集中在上游扩产，因此东芝将下游的工艺流程交给其他厂商进行代工。

在大陆以1GB SD卡跌破100元为标志性事件的闪存降价风劲吹下，由Samsung 、东芝、现代以及IM FLASH（IntelNAND型闪存合资厂）所引发的增产积累高库存的影响，已经日益明显。室町正志还表示，明年一月份东芝的65纳米工艺制程将会正式上路，生产16GB的NAND型闪存，到了明年7月将会竣工Fab4晶圆厂。届时东芝“弹药充足”，有希望在后年达成产能增长2.5倍的目标。

由于东芝大幅扩产，而Samsung 的MLC制程依然在逐步理顺中，因此双方在产能上的差距在第四季度并无出现大幅拉大迹象。