2月5日 北京消息：日前，精工爱普生集团与富士通有限公司联合发布了基于下一代铁电随机存储器(FRAM)技术的联合开发项目成果。此项新技术创建了领先传统FRAM 4倍的全新的高度集成化的FRAM存储器核心制程，拥有令人耳目一新的超高性能，读/写速度达到传统FRAM的 3倍，并拥有卓越的可靠性，能够进行超过100万亿次的读写循环操作。专家指出，由于这项全新的铁电制程可以加入至现有的CMOS逻辑电路制程之中，因此很适合用于大规模制造技术的开发。

作为一项安全存储器领域的尖端技术，FRAM受到了普遍关注，此次精工爱普生集团联手富士通发布的最新研发成果，其性能水平在全球可谓是首屈一指。据了解，早在2005年6月，双方正式宣布联合开发协议之后，爱普生与富士通公司就开始携手致力于下一代FRAM非易失存储器领域的技术开发，并最终取得了圆满成功，获得了预期的效果。

为了更好地将这一领先技术加以应用，爱普生准备将此项目成果与其所拥有的低功率CMOS技术相结合，进一步加速其在大规模集成电路(LSI)领域的开发与商业化进程，从而用于电池驱动式装置和便携式装置的生产之中。而富士通公司也将基于该项项目成果继续开发大规模制造技术，从而使其在FRAM适用的安全应用市场上充分发挥出其低功耗和高读/写速度的优点外，进一步开发内嵌式FRAM微控制器的新市场，从而进一步满足多元化的消费者需求。(LQ)